储存芯片(存储芯片三巨头)

soc和存储芯片区别

soc称为系统级芯片，也有称片上系统，意指它是一个产品，是一个有专用目标的集成电路，其中包含完整系统并有嵌入软件的全部内容。

存储芯片，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。

存储芯片三大材料

一、硅型存储芯片

硅型存储芯片是目前使用最广泛的一种存储芯片，其主要成分是硅材料。硅材料具有良好的导电性和稳定性，而且价格相对较低，因此成为存储芯片制造的理想材料。硅型存储芯片通常采用的是基于CMOS工艺的制造方法。硅型存储芯片广泛应用于电脑硬盘、闪存卡、内存等设备中。

二、氧化硅型存储芯片

氧化硅型存储芯片是另一种常见的存储芯片，其主要成分是氧化硅。相比硅型存储芯片，氧化硅型存储芯片在稳定性上有所优势，而且更加耐高温。此外，氧化硅型存储芯片可以制造成更小更轻的封装，从而更加适合在移动设备中使用。氧化硅型存储芯片通常用于SD卡、CF卡等设备中。

三、聚合物型存储芯片

聚合物型存储芯片是一类新型的存储芯片，其主要成分是有机聚合物。聚合物材料具有很高的可塑性，可以制造更薄、更轻、更柔韧的存储芯片。此外，聚合物型存储芯片还具有更低的功耗和更高的工作效率，因此越来越多地应用于电子书、智能手环、智能手表等设备中。

综上所述，存储芯片的材料主要包括硅、氧化硅和聚合物等。随着科技的不断发展，未来还可能出现更多新型的存储芯片材料。

闪存芯片与内存芯片的区别

举个例子，就像海尔，出电脑也出家电，意思一样，出内存颗粒的也可以出闪存颗粒啊。但实际上内存与闪存有本质区别，内存是高频率快速的存储器件，通电工作，断电则所有数据清空。而闪存类似于硬盘，属于数据存储模块，不需加点也可以保存数据完整。

存储芯片多少nm

当前存储芯片的加工工艺已经进入到了纳米级别，最常见的硬盘和闪存芯片加工工艺已经能够达到20纳米以下，甚至一些高端存储芯片的加工工艺已经达到了10纳米以下。

具体来说，目前主流的存储芯片工艺有以下几种：

1.SLC闪存芯片：最新的SLC闪存芯片加工工艺已经达到了15纳米。

2.MLC（多层单元）闪存芯片：MLC闪存芯片加工工艺普遍在19纳米到14纳米之间。

3.TLC（三层单元）闪存芯片：TLC闪存芯片加工工艺普遍在15纳米到10纳米之间。

4.QLC（四层单元）闪存芯片：QLC闪存芯片加工工艺大多在15纳米到9纳米之间。

5.垂直磁记录硬盘：最新的垂直磁记录硬盘的加工工艺已经达到了14纳米。

需要注意的是，存储芯片的加工工艺不断向着更为细小的纳米级别发展，以提升存储容量和读写速度。因此，未来的存储芯片加工工艺有可能会进一步提高。

逻辑芯片与存储芯片的区别

逻辑芯片又叫可编程逻辑器件，英文PLD。PLD是做为一种通用集成电路产生的，他的逻辑功能按照用户对器件编程来确定。一般的PLD的集成度很高，足以满足设计一般的数字系统的需要。

存储芯片，是嵌入式系统芯片的概念在存储行业的具体应用。因此，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。

逻辑芯片和存储芯片的区别

逻辑芯片的工艺目前还在20nm左右，比如Intel的CPU，而存储芯片都已逼近10nm，比如闪存，到底2者有何不同？

1）差异：两种芯片工艺的不同主要是由两种芯片的核心部件-晶体管的结构/工作模式的差异造成，可参考半导体器件相关的书籍和论文。

2）尺寸：从gatelength这个指标来看，你说的没错，2DNANDFlash的uncontactedpoly的halfpitch目前已经优于14/16nmFINFET的Lg。根据ITRS2015数据，前者为15nm，后者为24nm。[1]

3）命名：但需要说明的是，半导体工业界对逻辑产品（MPU/ASIC）和非挥发存储器(Flash)的工艺节点（technologynode）的命名是不同的。在相当长1段时间内，前者用的是contactedmetalline的halfpitch，后者用的是uncontactedpoly（floatinggate）的halfpitch。前者的physicalLg实际上比节点数字更小，而后者中的SL/BL的Lg比节点数字更大。[2]

4）新结构：然而3）中的定义方式随着近几年新型器件的步入市场也发生了变化，如FINFET和3DNAND。以2）中所举例的14/16nmFINFET工艺为例，其contactedmetalline的halfpitch为2⑧nm，而非标称的14/16nm。而3DNAND的节点命名已改为minimumarrayhalfpitch，约为⑧0nm。[1]

5）估算：由于标称节点数字与实际工艺参数之间的差异，以及各家公司的命名也存在差异，易造成混乱，于是ASML给出了1个估算式，可以根据各家公司的实际工艺参数推算出1个与标称节点数字相近的数字，目前为业界所普遍采用。[3]

6）先进度：目前，两种芯片的结构存在较大差异，且各自有各自的评价方式，所以并不好说谁的工艺技术更先进，只能说分别在自己的道路上追求更加极致的性能。